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Renesas射頻衰減器

發(fā)布時(shí)間：2022-05-09 16:53:13     瀏覽：3567

Renesas單片硅射頻衰減器可提供各種各樣數(shù)字或模擬控制。Renesas所有的射頻衰減器具備高帶寬、低插入損耗、高線性、高衰減精確度、低偏差等特性。射頻衰減器的應(yīng)用包括無線網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施（基站和寬帶基礎(chǔ)設(shè)施）(CATV)）、微波無線電、通訊衛(wèi)星和數(shù)據(jù)終端、通用型通信設(shè)備、測試和測量設(shè)備。

Renesas率先推出出選用Glitch-Free?數(shù)字步進(jìn)衰減器(DSA)，優(yōu)化軟件界面、提高安全可靠性、避免毀壞功率放大器等昂貴的子部件，限制數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器輸入超過額定范圍。Renesas的創(chuàng)新型Glitch-Free?技術(shù)可以清除發(fā)送和/或接收路徑中的衰減設(shè)置過沖(毛刺)，可以使最高有效位(MSB)過渡期間瞬時(shí)毛刺減少了95%。

另外，Renesas電壓可變衰減器(VVA)為用戶提供模擬控制，以滿足需要更準(zhǔn)確的衰減應(yīng)用程序。這些與類似的競爭解決方案相比較VVA有近半的低插入損耗和高IP3性能指標(biāo)，在電壓控制范圍內(nèi)線性衰減(dB)。硅基RF半導(dǎo)體技術(shù)，Renesas的衰減器為源于GaA原有的半導(dǎo)體技術(shù)提供了強(qiáng)有力的替代方案。硅技術(shù)提供了更強(qiáng)的靜電放電(ESD)保護(hù)，更好的溫度敏感度等級(MSL)、硅技術(shù)長期性驗(yàn)證的更理想的熱性能指標(biāo)、更低的電流消耗和安全可靠性。

射頻衰減器的目的是根據(jù)系統(tǒng)的需要調(diào)節(jié)無線電發(fā)送器或接收器信號鏈中的信號范圍。通常采用數(shù)字衰減器(DSA)或模擬衰減器(VVA)調(diào)節(jié)衰減值。針對模擬衰減器或數(shù)字衰減器的選擇，需要根據(jù)應(yīng)用要求實(shí)現(xiàn)權(quán)衡。Renesas專業(yè)工程師可以幫助用戶選擇最適宜的設(shè)備。

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司，優(yōu)勢代理分銷Renesas產(chǎn)品線，部分系列常備現(xiàn)貨。

詳情了解Renesas請點(diǎn)擊：http : //m.weabb.cn/public/brand/59.html

Renesas.png

Product ID

Frequency Range (MHz)

Supply Voltage (V)

Lead Count (#)

Input IP3 (dBm)

Gain (dB)

Gain Resolution (dB)

Output Impedance

F1912

1 - 4000

3 - 5.25

20

63

-1.4

0.5

50

F1950

150 - 4000

3 - 5.25

24

65

-1.3

0.25

50

F1951

100 - 4000

3 - 5.25

24

68

-1.2

0.5

50

F1953

400 - 4000

2.7 - 3.3

20

63

-1.4

0.5

50

F1956

1 - 6000

3 - 5.25

32

64

-1.3

0.25

50

F1958

1 - 6000

3 - 5.5

24

63

-1.3

0.25

50

F1975

5 - 3000

3 - 5.25

20

64

-1.2

0.5

75

F1977

5 - 3000

3 - 5.25

32

64

-1.4

0.25

75

F1978

5 - 3000

3 - 5.25

20

64

-1.2

0.5

75

F2250

50 - 6000

3.15 - 5.25

16

65

-1.4


50

F2251

50 - 6000

3.15 - 5.25

16

67

-1.4


50

F2255

1 - 3000

3.15 - 5.25

16

60

-1.1


50

F2258

50 - 6000

3.15 - 5.25

16

65

-1.4


50

F2270

5 - 3000

3.15 - 5.25

16

62

-1.1


75


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